Совместное использование слоя черного кремния и пленки ZnO в солнечных элементах

Радиотехника

  • Г. Е. Айвазян Национальный инженерный университет Армении
  • С. Х. Худавердян Национальный инженерный университет Армении
  • В. Е. Гайшун УО “Гомельский государственный университет им. Франциска Скорины”
  • А. В. Семченко УО “Гомельский государственный университет им. Франциска Скорины”
Keywords: ZnO:Al, золь–гель метод, черный кремний, антиотражающая поверхность, солнечный элемент

Abstract

В последнее время в качестве фронтальных антиотражающих поверхностей солнечных элементов большой интерес представляет черный кремний (b-Si). Однако низкая стабильность структурных и оптических свойств во времени b-Si затрудняет его практическое применение в производстве солнечных элементов. В данной работе для решения указанной проблемы предлагается использовать сплошные стабилизирующие пленки оксида цинка, легированные алюминием (ZnO:Al). Пленки ZnO:Al получены золь-гель осаждением при температурах отжига 350…5500C с применением различного типа реагентов. Методами атомно-силовой микроскопии и оптического пропускания исследована зависимость структурных, морфологических и оптических свойств ZnO:Al пленок от условий осаждения. Полученные пленки имели коэффициент оптического пропускания до 95% в широком спектральном диапазоне. Слои b-Si формировали методом реактивного ионного травления монокристаллических кремниевых пластин в среде газовой смеси SF6/O2. Морфологию поверхностей слоев b-Si исследовали с помощью сканирующего электронного микроскопа, а оптические свойства - на спектрометре, оборудованном интегрирующей сферой. Изучены структурные изменения и геометрические параметры b-Si в зависимости от расходов применяемых газов и продолжительности травления. Слои b-Si имели низкое значение коэффициента отражения (меньше 2%) в оптическом диапазоне 500…1000 нм. Проанализирована возможность совместного использования пленок ZnO:Al и слоев b-Si в качестве антиотражающих поверхностей солнечных элементов. Методом конечных разностей во временной области показано, что пленки ZnO:Al могут не только обеспечить стабильность во времени слоев черного кремния, но и дополнительно уменьшить отражение солнечного излучения до 1% в спектральном диапазоне функционирования кремниевых солнечных элементов

Author Biographies

Г. Е. Айвазян, Национальный инженерный университет Армении

Айвазян Гагик Ерджаникович
к.т.н., доцент кафедры Систем связи

С. Х. Худавердян, Национальный инженерный университет Армении

Худавердян Сурик Хачикович
д.т.н., проф., зав. каф. Систем связи

В. Е. Гайшун, УО “Гомельский государственный университет им. Франциска Скорины”

Гайшун Владимир Евгеньевич
д.ф-м.н., доцент

А. В. Семченко, УО “Гомельский государственный университет им. Франциска Скорины”

Семченко Алина Валентиновна
к.ф-м.н., доцент

Published
2016-12-26