Вывод основных соотношений для полупроводникового параметрического делителя сверхвысоких частот

Радиотехника

Abstract

Рассматривается полупроводниковый параметрический делитель частоты, где p-п переход нагружен контурами частот накачки и еe субгармоники. Исследование полупроводниковых делителей частоты базируется на представлении нелинейных зависимостей емкости и проводимости диода в виде конечных рядов по степеням напряжения. Более общим подходом является представление этих зависимостей в виде произвольных функций ( ) ( ) которые могут быть заданы экспериментальными графиками. На основе такого представления приведены результаты анализа основных выводов укороченных уравнений для полупроводниковых параметрических делителей сверхвысоких частот