Сравнительный анализ рассеиваемой мощности статических запоминающих ячеек

Электроника

  • О. А. Петросян Государственный инженерный университет Армении (Политехник)
  • Н. Б. Авдалян ЗАО “Синопсис Армения”
  • К. О. Петросян Государственный инженерный университет Армении (Политехник)

Համառոտագիր

Приведены наиболее распространенные схемы запоминающих ячеек статических оперативных запоминающих устройств типа 6Т, 8Т, 9Т и 10ТМ. Рассмотрены принцип работы запоминающей ячейки типа 6Т, а также основные особенности остальных запоминающих ячеек. Дан сравнительный анализ зависимости рассеиваемой мощности запоминающих ячеек от напряжения источника питания, температуры и рабочей частоты для библиотеки с технологическими нормами SAED EDK в 28 нм. Представлены результаты моделирования рассмотренных запоминающих ячеек для типового, медленного и быстрого процессов. Моделирование и расчеты были проведены программным инструментом Hspice, а также с использованием моделей транзисторов BSIM 4.

Author Biographies

О. А. Петросян, Государственный инженерный университет Армении (Политехник)

Петросян Олег Арутюнович

д.т.н., доцент, каф. Микроэлектроники и биомедицинских устройств

Н. Б. Авдалян, ЗАО “Синопсис Армения”

Авдалян Нарек Бениаминович

инженер-проектировщик

К. О. Петросян, Государственный инженерный университет Армении (Политехник)

Петросян Камо Олегович

магистр

Տպագրված է
2014-06-16